Электроника, СибГУТИ, МРМ, 3 семестр:)
Ниже следуют ссылки на различные разделы моей странички:
Прямое и обратное включение p-n перехода
Основы физики полупроводников и полупроводниковых приборов
ПП с электронной и дырочной проводимостью
электронно-дырочный переход в состоянии равновесия
РАЗНОВИДНОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЕРЕХОДОВ
Поплупроводниковые диоды. Выпрямительные диоды.Стабилитроны.Варикапы.Универсальные и импульсные диоды.Принцип работы и параметры p-i-n-диодов
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и его Статические характеристики. МДП-транзистор. Статические характеристики МДП ПТ. Дифференциальные параметры полевого транзистора
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ. Принцип действия. Токи в транзисторе. Статические характеристики. Схема с ОБ и ОЭ
Влияние температуры на статические характеристики БТ. Дифференциальные параметры БТ. Дифференциальные параметры ПТ
Модели БТ. Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора. Эквивалентная схема ПТ. Частотные свойства биполярных транзисторов. Способы улучшения частотных свойств БТ
Тиристоры. ВАХ. Зонная диаграмма и токи диодного тиристора в открытом состоянии. Зависимость коэффициента передачи альфа от тока эмиттера
Определение и классификация электронных приборов и их этапы развития
Диффузионные и дрейфовые токи полупроводника
Отличие характеристик реальных ПП диодов от идеальных
Барьерная и диффузионная ёмкость p-n переходаб их зависимости от режима работы
